Era electronicii "Solid state"

Era electronicii "Solid state" – Primul circuit integrat MOS

Timp de citit: 2 minute

Sa descoperim inceputurile erei in electronica.

Era dispozitivelor semiconductoare s-a intins pe durata unei jumatati de secol si poate fi numita era electronicii moderne. Daca ar trebui ales un unic simbol pentru a reprezenta intreg universul electronic, acesta ar fi tranzistorul.

Ce impact a avut descoperirea tranzistorului?

Datorita simbolului electronicii, tranzistorul, nu ne-am putea imagina astazi electronica sau informatica. Multiplicat in milioane de exemplare pe un singur chip, da nastere microprocesorului. Desi este putin cunoscut, primele pagini din istoria tranzistorului sunt scrise mai intai de tranzistorul cu efect de camp si abia mai apoi de cel bipolar.

In 1930, cercetatorul american Julius Edgar Lilienfeld, a descoperit faptul ca se poate comanda conductia intr-un cristal aplicandu-i-se acestuia un camp electric perpendicular. Acesta a depus mai multe brevete referitoare la ceea ce putem considera astazi primul tranzistor cu efect de camp, respectiv in 1926 (US Patent no. 1900.018) si in 1930 (US Patent no. 1745.175).

Firma Bell Telephone Laboratories a inceput studiul miscarii electronilor in solide inainte de primul razboi mondial. Grupul sau de cercetatori il avea ca principal teoritician pe W. Shockley (din anul 1936), ulterior, in 1945 alaturandu-se si J. Bardeen.

La sfarsitul anilor `30 din laboratoarele Bell tanarul fizician, William B. Shockley, a incercat sa inlocuiasca comutatoarele electromecanice utilizate in telefonie pentru stabilirea conexiunilor, preocupandu-se cu precadere de o teorie propusa de Walter Shottky referitoare la efectul de redresare a curentului alternativ observat intr-o jonctiune metal-semiconductor.

John Bardeen, William Shockley si Walter Brattain, laboratoarele Bell, 1948

Schockley a intrevazut posibilitatea amplificarii semnalului prin intermediul unei zone situate sub stratul de metal. Primele sale incercari pentru realizarea unui asemenea dispozitiv (realizate cu cupru si oxid de cupru) in anul 1939, nu au dat rezultatele dorite. El a reluat aceste studii dupa al doilea razboi mondial, formand echipa cu John Bardeen si Walter H. Brattain, utilizand ca semiconductor germaniul.

Aceasta echipa a realizat in anul 1947 primul tranzistor cu varfuri, al carui principiu de functionare a fost lamurit in aprilie 1949 de Bardeen si Brattain.

In anul 1948, Shockley a pus la punct primul tranzistor bipolar cu jonctiuni. In acelasi an Shockley si Gerald L. Pearson de la Bell Laboratories au remarcat efectul unui camp asupra unei jonctiuni PN de siliciu. Anul 1948 poate fi considerat anul in care electronica a fost cu adevarat revolutionata, consecintele acestei revolutii le resimtim la fiecare pas si in prezent.

Primul tranzistor cu jonctiuni a fost descris in iulie 1951 de Shockley, Sparks si Teal. Urmand ca in 1952, Shockley sa publice teoria tranzistorului cu efect de camp unipolar, in timp ce George G. Dacey si Ian M. Ross a realizat primul element (in 1953) cu ajutorul germaniului.

Bibliografie / Surse:

Articol preluat din Revista Tehnium, nr. 6, din anul 1998.
http://en.wikipedia.org/Lilienfeld
http://www.researchgate.net/
http://ethw.org/

Adauga un comentariu

Adresa ta de email nu va fi publicată. Câmpurile obligatorii sunt marcate cu *

The maximum upload file size: 2 Mo. You can upload: image, audio, video, document, spreadsheet, interactive, text, archive, other. Links to YouTube, Facebook, Twitter and other services inserted in the comment text will be automatically embedded. Drop file here