BC107, BC108 si BC109 – Inceputurile productiei in lume

Timp de citit: 4 minute

Intreprinderea de piese radio si semiconductori (IPRS)

In 1960, guvernul lui Gheorghe Gheorghiu-Dej a decis sa construiasca o fabrica in Baneasa (Bucuresti), care in 1962 se numea Intreprinderea de piese radio si semiconductori (IPRS).

Fabrica a crescut pana la 6.000 de angajati la inceputul anilor 1980. Seria de tranzistoare BJT a urmat circuite integrate liniare si digitale (inclusiv seria 7400), diode si tranzistoare, dispozitive cu microunde, tiristoare, triaci si condensatori. IPRS a fabricat, de asemenea, un microprocesor βP14500, o clona a Motorola MC14500B.

Cum a aparut CCPCE?

In 1969 Centrul de Cercetare Proiectare pentru Componenta Electronica (CCPCE) a fost creat pe baza IPRS, dar independent de acesta. Centrul de cercetare a dezvoltat dispozitive semiconductoare pilot pentru seriile ulterioare de catre IPRS. Din 1974 sediul central s-a mutat aproape de IPRS si si-a schimbat denumirea in Institutul de Cercetare pentru Componenta Electronica (ICCE). Cu noi linii de productie inaugurate in 1979 a inceput fabricarea tranzistoarelor, diodelor, circuitelor IC, optoelectronicii, cu cateva mii de unitati produse pe luna.

O a treia entitate, Microelectronica, a fost creata in 1981, aproape de IPRS si ICCE pentru fabricarea logicii PMOS, logicii NMOS si a CMOS (inclusiv seria 4000).

Microelectronica a fabricat o clona a Intel 8080 cu denumirea MMN8080 si o clona a MMN80CPU marca Zilog Z80. MMN80CPU a intrat in productie in 1988. Retineti ca Z80 a fost lansat in 1976 si clona U880 din Germania de Est in 1980.

Cand au aparut tranzistoare BC107, BC108 si BC109?

BC107, BC108 si BC109 sunt tranzistoare bipolare NPN cu siliciu, de uz general, de mica putere, care se gasesc foarte des in carti/articole de echipamente electronice din Europa, Australia, inca din anii '60.

Acestea au fost create de Philips si Mullard in 1963 si introduse in aprilie 1966. Initial in pachete metalice (TO-18), gama s-a extins in timp pentru a include alte tipuri de pachete, tensiuni mai mari si o selectie mai buna de castig (hFE si hfe), precum si tipuri de PNP complementare.

Familia BC107, 108, 109 in capsula metalica TO-18, s-a produs pe plan mondial din 1965 de catre Philips, Siemens, AEG-Telefunken, SESCOSEM, Texas Instruments, Motorola, Fairchild, SGS Thomson si IPRS Baneasa.

Dupa 1975 se fabrica tranzistoare similare si echivalente in capsula de plastic, la un pret de cost mai mic cu 20-40%. Capsulele sunt diferite ca forma si doar din aceasta cauza apar mai multe tipuri care de fapt sunt echivalente.

BC107 si 109 (177 si 179 complementari PNP) sunt in capsula metalica si din acest motiv sunt putin mai scumpi dar aveau zgomot redus (BC109C) si se foloseau in preamplificatoare si in partea de intrare a amplificatoarelor audio in special.

Tabel echivalente pentru BC107, BC108 si BC109

TipTranzistoare echivalente [BC]
BC 107147, 167, 207, 237, 547, 171
BC 108148, 168, 208, 238, 548, 172
BC 109149, 169, 209, 239, 549, 173

Puterea disipata la 45°C este pentru toate tipurile de cel putin 200 mW. Nu se recomanda ca la functionarea de lunga durata puterea sa depaseasca 150mW, astfel incat jonctiunea sa aiba o temperatura sub 125°C, asigurindu-se fiabilitatea.

Caracteristicile tehnice ale BC107, BC107A, BC107B si BC107C

Technical specificationsBC107BC107ABC107B BC107C
Material of TransistorSiSiSiSi
PolarityNPNNPNNPNNPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|50 V50 V50 V50 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|45 V45 V45 V45 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|6 V6 V6 V6 V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)175 °C175 °C175 °C175 °C
Transition Frequency (ft)150 MHz150 MHz150 MHz150 MHz
Collector Capacitance (Cc)5 pF5 pF5 pF5 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN110110200450
PackageTO18TO18TO18TO18

Caracteristicile tehnice ale BC108, BC108A, BC108B si BC108C

Technical specificationsBC108BC108ABC108B BC108C
Material of TransistorSiSiSiSi
PolarityNPNNPNNPNNPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|30 V30 V30 V30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|20 V20 V20 V20 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5 V5 V5 V5 V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)175 °C175 °C175 °C175 °C
Transition Frequency (ft)150 MHz150 MHz150 MHz150 MHz
Collector Capacitance (Cc)5 pF5 pF5 pF5 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN120120200420
PackageTO18TO18TO18TO18

Caracteristicile tehnice ale BC109, BC109A, BC109B si BC109C

Technical specificationsBC109BC109ABC109B BC109C
Material of TransistorSiSiSiSi
PolarityNPNNPNNPNNPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|30 V30 V30 V30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|20 V20 V20 V20 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5 V5 V5 V5 V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)175 °C175 °C175 °C175 °C
Transition Frequency (ft)150 MHz150 MHz150 MHz150 MHz
Collector Capacitance (Cc)5 pF5 pF5 pF5 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN180120200420
PackageTO18TO18TO18TO18

Bibliografie:

Multumiri speciale pentru colegii Nicolae Dicu si Marius Balauta pentru pozele din acest articol.

https://mail.uaic.ro/
https://picclick.com/
https://koaha.org/
https://www.elforum.info/

 2,198 afisari totale,  1 afisari azi

3 comentarii

  1. Un alt motiv pentru care s-a renuntat la capsula metalica a fost degradarea in timp a capsulei: parti microscopice din material cădeau pe joncțiune si ieșea cu contaminare, schimbând parametrii. Mai ales la operaționalele de instrumentație. Au descoperit asta la telescopul Hubble când au adus pe pământ module vechi pentru examinare. De-aia pe foile tehnice ale componentelor pretențioase – vezi diodele 1N21WE – scrie "durata maximă de păstrare" ("shelf life") = câteva zeci de ani, în cazul particular al diodelor ăstora vreo 12 ani.

  2. Nu contest dar cele mai bune si stabile BC-uri cu care am lucrat, fapt înscris si in catalog au fost cu carcasa metalic. Nu mai spun de ecranare. Stiu ca Z80 nu prea ne ieșea la Microelectronica datorita impuritatilor din aer dar era procesor…

  3. I've built amplifiers with those transistors as a 12 year old in the early eighties. Sounded great. I also liked that you could file the top of and have a photo transistor.

Adauga un comentariu

Adresa ta de email nu va fi publicată.

The maximum upload file size: 2 Mo. You can upload: image, audio, video, document, spreadsheet, interactive, text, archive, code, other. Links to YouTube, Facebook, Twitter and other services inserted in the comment text will be automatically embedded. Drop file here