BC17x, BC25x – Inceputurile productiei in Romania, IPRS Baneasa

Timp de citit: 7 minute

Fabricarea dispozitivelor semiconductoare din siliciu la IPRS Baneasa

Sectia 2500, denumita ulterior "Fabrica de tranzistori de silicon si diode de semnal mic", a fost ultima unitate de productie infiintata in IPRS Baneasa in 1974, pentru a livra dispozitive discrete de siliciu solicitate in principal de intreprinderea ELECTRONICA pentru fabricarea de aparate radio si TV.

Ca si celelalte sectii de productie din IPRS Baneasa, departamentul 2500 a inceput productia prin achizitionarea a doua licente importante: licenta pentru fabricarea diodelor Varicap de la compania ITT-Intermetall din Freiburg, Germania si licenta pentru producerea 2N3055, tranzistoare de putere de la Solitron Devices Inc, West Palm Beach, SUA.

Ambele licente au inclus tehnologia si echipamentele pentru fabricarea microcipurilor de siliciu, pentru incapsularea acestora si testarea electrica finala. Pornind de la aceasta baza tehnologica, personalul tehnic de la Sectia 2500 a proiectat, dezvoltat si pus in productie o gama larga de dispozitive semiconductoare din siliciu.

Inceputurile productiei familiilor de tranzistoare BC17x, BC25x in Romania

In aceeasi perioada de pornire s-a depus mult efort pentru a dezvolta primele cipuri de tranzistori de putere mica: de tip NPN (BC170) si de tip PNP (BC250).

La inceput, aceasta sarcina parea relativ simpla, constand in adaugarea unei difuzii de baza in plus, ca evolutie a procesului de la procesul licentiat pentru dioda varicap.

Dar aceasta s-a dovedit a fi o adevarata provocare. Motivul a fost sensibilitatea ridicata a bazei tranzistorului dopat, la defecte de cristal si la contaminarea ionica cu oxid, mult mai mare decat in ​​jonctiunea diodei puternic dopate.

Problemele intalnite la inceputurile fabricatiei familiei de tranzistoare BC170, BC250

Pentru tranzistoarele NPN, principala problema a fost castigul de curent extrem de mic, de doar cateva unitati, la curenti mici de colector (10 μA) iar pentru cele PNP canalele parazite din jonctiunea baza-colector.

Conducerea IPRS (director general ing. Anton Vatasescu) a pus cercetatorii sub presiune constanta din cauza cererii puternice din partea clientului principal, intreprinderea ELECTRONICA.

In cele din urma, un proces de "proiectare a experimentelor" a dat parametrii specificati si mai multe familii de tranzistori de putere mica au putut fi calificate si livrate clientilor dornici.

Primele tranzistoare NPN (familia BC17x) au fost dezvoltate de catre ing. Nicolae Camen si primele tranzistoare PNP (familia BC25x) de ing. Sorin Georgescu.

Caracteristicile tehnice ale BC170, BC170A, BC170B, BC170C

Technical specificationsBC170BC170ABC170BBC170C
Material of TransistorSiSiSiSi
PolarityNPNNPNNPNNPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|20 V20 V20 V20 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|20 V20 V20 V20 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5 V5 V5 V5 V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)150 °C150 °C150 °C150 °C
Transition Frequency (ft)60 MHz60 MHz60 MHz60 MHz
Collector Capacitance (Cc)8 pF8 pF8 pF8 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN353580200
PackageTO92TO92TO92TO92

Caracteristicile tehnice ale BC171, BC171A, BC171B, BC171C

Technical specificationsBC171BC171ABC171BBC171C
Material of TransistorSiSiSiSi
PolarityNPNNPNNPNNPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|45 V45 V45 V45 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|45 V45 V45 V45 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|6 V6 V6 V6 V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)150 °C150 °C150 °C150 °C
Transition Frequency (ft)100 MHz100 MHz100 MHz100 MHz
Collector Capacitance (Cc)6 pF6 pF6 pF6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN125125240450
PackageTO92TO92TO92TO92

Caracteristicile tehnice ale BC172, BC172A, BC172B, BC172C

Technical specificationsBC172BC172ABC172BBC172C
Material of TransistorSiSiSiSi
PolarityNPNNPNNPNNPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|25 V25 V25 V25 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|25 V25 V25 V25 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5V5V5V5V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)150 °C150 °C150 °C150 °C
Transition Frequency (ft)100 MHz100 MHz100 MHz100 MHz
Collector Capacitance (Cc)6 pF6 pF6 pF6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN125125240450
PackageTO92TO92TO92TO92

Caracteristicile tehnice ale BC173, BC173A, BC173B, BC173C

Technical specificationsBC173BC173ABC173BBC173C
Material of TransistorSiSiSiSi
PolarityNPNNPNNPNNPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|25 V25 V25 V25 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|25 V25 V25 V25 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5V5V5V5V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)150 °C150 °C150 °C150 °C
Transition Frequency (ft)150 MHz150 MHz150 MHz150 MHz
Collector Capacitance (Cc)6 pF6 pF6 pF6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN125125240450
PackageTO92TO92TO92TO92

Caracteristicile tehnice ale BC174, BC174A, BC174B

Technical specificationsBC174BC174ABC174B
Material of TransistorSiSiSi
PolarityNPNNPNNPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|64 V64 V64 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|64 V64 V64 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5V5V5V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A0.1 A0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)150 °C150 °C150 °C
Transition Frequency (ft)100 MHz100 MHz100 MHz
Collector Capacitance (Cc)6 pF6 pF6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN125125240
PackageTO92TO92TO92

Caracteristicile tehnice ale BC175

Technical specificationsBC175
Material of TransistorSi
PolarityNPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|30 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)125 °C
Transition Frequency (ft)150 MHz
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN100
PackageTO92

Caracteristicile tehnice ale BC177, BC177A, BC177AP, BC177B, BC177BP, BC177C, BC177CSM, BC177DCSM, BC177P, BC177V, BC177VI

Technical specificationsBC177BC177ABC177APBC177BBC177BPBC177CBC177CSMBC177DCSMBC177PBC177VBC177VI
Material of TransistorSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSi
PolarityPNPPNPPNPPNPPNPPNPPNPPNPPNPPNPPNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|45 V45 V45 V45 V45 V45 V45 V45 V45 V45 V45 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|45 V45 V45 V45 V45 V45 Vno datano data45 V45 V45 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5V5V5V5V5V5Vno datano data5V5V5V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)175 °C175 °C175 °C175 °C175 °C175 °Cno datano data175 °C175 °C175 °C
Transition Frequency (ft)130 MHz130 MHz130 MHz130 MHz130 MHz100 MHz130 MHz130 MHz130 MHz130 MHz130 MHz
Collector Capacitance (Cc)7 pF7 pF7 pF7 pF7 pF7 pFno datano data7 pF7 pF7 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN70120120180180380180180705075
PackageTO18TO18TO92TO18TO92TO18LCC1LCC2TO92TO92TO18

Caracteristicile tehnice ale BC178, BC178A, BC178AP, BC178B, BC178BP, BC178C, BC178CP, BC178P, BC178V, BC178VI

Technical specificationsBC178BC178ABC178APBC178BBC178BPBC178CBC178CPBC178PBC178VBC178VI
Material of TransistorSiSiSiSiSiSiSiSiSiSi
PolarityPNPPNPPNPPNPPNPPNPPNPPNPPNPPNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|30 V30 V30 V30 V30 V30 V30 V30 V30 V30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|25 V25 V25 V25 V25 V25 V25 V25 V25 V25 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5V5V5V5V5V5V5V5V5V5V
Maximum Collector Current |Ic max|0.2 A0.2 A0.2 A0.2 A0.2 A0.2 A0.2 A0.2 A0.2 A0.2 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)175 °C175 °C175 °C175 °C175 °C175 °C175 °C175 °C175 °C175 °C
Transition Frequency (ft)100 MHz100 MHz100 MHz100 MHz100 MHz100 MHz100 MHz100 MHz100 MHz100 MHz
Collector Capacitance (Cc)7 pF7 pF7 pF7 pF7 pF7 pF7 pF7 pF7 pF7 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN70120125180240350450755075
PackageTO18TO18T092T018T092T018T092T092T092T018

Caracteristicile tehnice ale BC179, BC179A, BC179AP, BC179B, BC179BP, BC179C, BC179CP, BC179P, BC179V, BC179VI

Technical specificationsBC179BC179ABC179APBC179BBC179BPBC179CBC179CPBC179PBC179VBC179VI
Material of TransistorSiSiSiSiSiSiSiSiSiSi
PolarityPNPPNPPNPPNPPNPPNPPNPPNPPNPPNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|25 V25 V25 V25 V25 V25 V25 V25 V25 V25 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|20 V20 V20 V20 V20 V20 V20 V20 V20 V20 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5V5V5V5V5V5V5V5V5V5V
Maximum Collector Current |Ic max|0.05 A0.05 A0.05 A0.05 A0.05 A0.05 A0.05 A0.05 A0.05 A0.05 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)175 °C175 °C175 °C175 °C175 °C175 °C175 °C175 °C175 °C175 °C
Transition Frequency (ft)100 MHz100 MHz100 MHz100 MHz100 MHz100 MHz100 MHz100 MHz100 MHz100 MHz
Collector Capacitance (Cc)7 pF7 pF7 pF7 pF7 pF7 pF7 pF7 pF7 pF7 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN70120120180180380380706075
PackageTO18TO18TO92TO18TO92TO18TO92TO92TO18TO18

Caracteristicile tehnice ale BC250, BC250A, BC250B, BC250C

Technical specificationsBC250BC250ABC250BBC250C
Material of TransistorSiSiSiSi
PolarityPNPPNPPNPPNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|20 V20 V20 V20 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|20 V20 V20 V20 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5V5V5V5V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)150 °C150 °C150 °C150 °C
Transition Frequency (ft)100 MHz100 MHz100 MHz100 MHz
Collector Capacitance (Cc)6 pF6 pF6 pF6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN353580200
PackageTO92TO92TO92TO92

Caracteristicile tehnice ale BC251, BC251A, BC251B, BC251C, BC251CA

Technical specificationsBC251BC251ABC251BBC251CBC251CA
Material of TransistorSiSiSiSiSi
PolarityPNPPNPPNPPNPPNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.25 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|45 V45 V45 V45 V45 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|45 V45 V45 V45 V45 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5V5V5V5V5V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A0.05 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)125 °C150 °C150 °C150 °C150 °C
Transition Frequency (ft)100 MHz80 MHz80 MHz80 MHz50 MHz
Collector Capacitance (Cc)6 pF6 pF6 pF6 pF6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN125120240450450
PackageTO92TO92TO92TO92TO106

Caracteristicile tehnice ale BC252, BC252A, BC252B, BC252C, BC252CA

Technical specificationsBC252BC252ABC252BBC252CBC252CA
Material of TransistorSiSiSiSiSi
PolarityPNPPNPPNPPNPPNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.25 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|20 V25 V25 V25 V25 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|20 V25 V25 V25 V25 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5V5V5V5V5V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A0.05 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)125 °C150 °C150 °C150 °C150 °C
Transition Frequency (ft)80 MHz80 MHz80 MHz80 MHz80 MHz
Collector Capacitance (Cc)6 pF6 pF6 pF6 pF6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN125120250450450
PackageTO92TO92TO92TO92TO106

Caracteristicile tehnice ale BC253, BC253A, BC253B, BC253C, BC253CA

Technical specificationsBC253BC253ABC253BBC253CBC253CA
Material of TransistorSiSiSiSiSi
PolarityPNPPNPPNPPNPPNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.25 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|20 V25 V25 V25 V25 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|20 V25 V25 V25 V25 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5V5V5V5V5V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A0.05 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)125 °C150 °C150 °C150 °C150 °C
Transition Frequency (ft)80 MHz80 MHz80 MHz80 MHz50 MHz
Collector Capacitance (Cc)6 pF6 pF6 pF6 pF6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN125120240450450
PackageTO92TO92TO92TO92TO106

Caracteristicile tehnice ale BC254, BC254A

Technical specificationsBC254BC254A
Material of TransistorSiSi
PolarityPNPPNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.25 W0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|100 V30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|55 V25 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5V5V
Maximum Collector Current |Ic max|0.05 A0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)150 °C150 °C
Transition Frequency (ft)no data60 MHz
Collector Capacitance (Cc)no data10 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN50150
PackageTO92TO18

Caracteristicile tehnice ale BC255, BC255A

Technical specificationsBC255BC255A
Material of TransistorSiSi
PolarityNPNNPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.625 W0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|100 V30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|55 V25 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5V5V
Maximum Collector Current |Ic max|0.03 A0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)175 °C175 °C
Transition Frequency (ft)no data60 MHz
Collector Capacitance (Cc)10 pF10 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN50235
PackageTO92TO18

Caracteristicile tehnice ale BC256, BC256A, BC256B

Technical specificationsBC256BC256ABC256B
Material of TransistorSiSiSi
PolarityPNPPNPPNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|64 V64 V64 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|64 V64 V64 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5V5V5V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A0.1 A0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)150 °C150 °C150 °C
Transition Frequency (ft)100 MHz75 MHz75 MHz
Collector Capacitance (Cc)6 pF6 pF6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN125120240
PackageTO92TO92TO92

Caracteristicile tehnice ale BC257, BC257A, BC257B, BC257V, BC257VI

Technical specificationsBC257BC257ABC257BBC257VBC257VI
Material of TransistorSiSiSiSiSi
PolarityPNPPNPPNPPNPPNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.28 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|45 V45 V45 V45 V45 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|45 V45 V45 V45 V45 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5V5V5V5V5V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)150 °C150 °C150 °C150 °C150 °C
Transition Frequency (ft)130 MHz130 MHz130 MHz130 MHz130 MHz
Collector Capacitance (Cc)6 pF6 pF6 pF6 pF6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN701201805075
PackageTO92TO92TO92TO92TO92

Caracteristicile tehnice ale BC258, BC258A, BC258B, BC258C, BC258VI

Technical specificationsBC258BC258ABC258BBC258CBC258VI
Material of TransistorSiSiSiSiSi
PolarityPNPPNPPNPPNPPNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|25 V25 V25 V25 V25 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|25 V25 V25 V25 V25 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5V5V5V5V5V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)150 °C150 °C150 °C150 °C150 °C
Transition Frequency (ft)130 MHz130 MHz130 MHz130 MHz130 MHz
Collector Capacitance (Cc)6 pF6 pF6 pF6 pF6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN707012038075
PackageTO92TO92TO92TO92TO92

Caracteristicile tehnice ale BC259, BC259A, BC259B, BC259C

Technical specificationsBC259BC259ABC259BBC259C
Material of TransistorSiSiSiSi
PolarityPNPPNPPNPPNP
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)0.3 W0.3 W0.3 W0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|20 V20 V20 V20 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|20 V20 V20 V20 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|5V5V5V5V
Maximum Collector Current |Ic max|0.1 A0.1 A0.1 A0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)150 °C150 °C150 °C150 °C
Transition Frequency (ft)130 MHz130 MHz130 MHz130 MHz
Collector Capacitance (Cc)6 pF6 pF6 pF6 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN70120200380
PackageTO92TO92TO92TO92

Bibliografie:

http://www.link2nano.ro
https://alltransistors.com/
De asemenea, multumim colegului Nicolae Dicu pentru pozele macro.

 2,317 afisari totale,  14 afisari azi

70 comentarii

    1. Intr-adevar, majoritatea fabricilor de semiconductoare sunt in Asia. Datorita lipsei de componente electronice de pe piata asiatica, am vazut ca se planifica construirea catorva fabrici de semiconductoare si in Europa. Cred ca si Romania este inclusa in acest proiect.

    2. Mari greseli au facut toti ca au transferat toate industriile mondiale in Asia de Sud-Est. Se vede ce bine o duc aia, pe baza a ce produc.

          1. Nici nu știu dacă mai era alt tranzistor verde in afara de BC251. Eu când vedeam unul verde, îl consideram automat BC251.

      1. Am construit un astabil cu BC-uri noi 547 și după o greșeală s-au prăjit. Am pus BC-uri românești 171 și nu s-au mai prăjit la aceeași greșeală. Erau calde dar bune. Am cumpărat de la cineva vreo 300 de BC-uri românești să am, cu prima ocazie 😅

        1. Interesant, inseamna ca BC-urile romanesti sunt mai fiabile decat cele produse in ziua de astazi. Ok, insa nu stiu ce sa spun despre despre acei condensatori gri produsi de IPRS. Pentru mine au fost cam dezastru..

          1. Si aceia metalici de înaltă tensiune folosiți în TV la deflexia orizontală iar dezastru, și atunci nu aveam ca acum capacimetre. Ne uitam la modul și nu știam ce are, știam doar că tranzistorul e bun și rezistentă.

          2. Cred că o să țin de o parte tranzistorii românești din colecție, nu o să îi mai consider la fel de interschimbabili cu tranzistori mai noi cumpărați cu 0.6 bani bucata.

  1. Din pacate stelajele cu loturile alpha de BC-uri au "disparut" misterios din birourile de la Acvariu. Acvariul fiind una din cladirile fostei IPRS BANEASA. Am intrat doar in posesia a catorva imagini cu aceste prime loturi de tranzistoare produse dintr-o serie in IPRS, implicit in Romania.

  2. Discutia este vasta. Tranzistoarele erau sub licență, trebuiau sa aibă niște parametrii de catalog, câteodată erau mai buni, altfel nu puteai să scrii pe ei ITT, SGS, Siemens s.a.m.d.

      1. Totul a fost furat, componentele copiate, radiourile Gloria după Grunding, TV Sport după Elin Austria, TV Venus dupa Philips, aspiratoarele "Ideal" după Super Austria. Noi nu am făcut nimic, am furat de când e lumea, nu suntem în stare sa facem nici scobitori.

        1. Mai multe tări vecine încapsulau structuri IPRS sub denumire proprie. De ex. Ungaria, Bulgaria, Slovacia, chiar și RDG. Componentele au fost licențiate. Nu au fost furate!

        2. Ai multa dreptate.Totul facut dupa altii si depasit moral. In toate domeniile a fost asta. De aceea au picat toate dupa revolutie. Si atunci angajarile se faceau pe pile si apartenenta la PCR. Toate masinariile / instalatiile din IPRS erau cumparate de la japonezi.

        3. IPRS a fost facut pe ideea rusilor de a fura tehnologie din occident cu mana romanilor. Ulterior, Ceausescu isi da seama de importanta electronicii si asa ia amploare electronica in Romania. Se furau componente electronice, se copiau aparate. Romania nu a sprijinit niciodata cercetarea in niciun domeniu, iar facultatile au scos in general doar ingineri cu numele.

        4. Spionajul industrial era la maxim in paralel cu cumpararea de licente. Daca nu erau francezii nu aveam nici circuite integrate fabricate in Romania. Da furtul era o practica si sustin asta.

        5. Gresit. Gloria a fost copiat dupa ITT Schaub-Lorenz, TV Venus dupa un model frantuzesc E47. Romanii au pastrat pana si denumirea sasiului frantuzesc. TV Sport impreuna cu celelalte tipuri de TV alb-negru cu 3, 4, 5 si 6 c.i. au fost inspirate dintr-un model Loewe alb-negru. Schemele erau bune dar calitatea slaba a componentelor electronice romanesti faceau aceste aparate sa functioneze defectuos.

    1. Scuze domnule, ați înțles anapoda. O parte din producție era destinată exportului (ca plată a licenței). Daca marchezi un produs cu o denumire sandard (2N3055, BC 109, TCA 150) trebuie să respecti parametrii. Restul de componente SDT, ST, etc. ereu cu alți parametrii.

  3. Am lucrat în IPRS, am facut Școala în IPRS pentru diverse. Cunosc tehnologia și structurile de siliciu folosite până în 89.
    Tehnologia (licenta de fabricatie) era (la siliciu, 2400, 2500), materiale de import, grile de import, siliciu de import, chimie de import.

  4. Daca ne zici si de ce cel din mijloc e verde si de ce ceilalti nu, dau bonus imagini de kit-uri pentru articole pe care nu le are inca site-ul 🙂

    1. Buna intrebare. Am tot intrebat, si printre raspunsuri a fost ca erau folosite in sistemele de automatizari si ca verdere de fapt s-a folosit pentru a distinge tranzistoarele PNP.
      Personal cred ca acest BC171A (verde) comuta mai rapid ca celelalte variante, probabil de asta are pinii auriti.

  5. Motivul este mai simplu.
    Initial s-au importat tehnologiile de fabricare a rasinii de culoare verde.
    Materialele necesare in reteta erau de 2-3 ori mai scumpe, rasina de culoare neagra fiind mai ieftina.
    S-a recurs in scurt timp la folosirea doar a rasinii de culoare neagra.
    Totusi din loturile pentru export, multe sunt verzi. In special cele pentru RFG, Israel etc.

      1. Sau pentru domeniul militar, AMC, cercetare. Orice era de destinatie speciala si cerea calitate (puneau). Asta pana s-a bagat partidul. Vatasescu nu a avut o influenta benefica. O spun toti IPRS-istii..

          1. Este mult de spus. Reproduc din ce scria o colega de IPRS, cu ocazia vizitei din imagine.
            "Iliescu, Roman si Vatasescu ne au distrus Intreprinderea! Am fost multi dintre noi care ne-am bucurat de "vizita"! Credeam ca o sa obtinem contracte bune, ca o sa fie bine!
            Dar a vandut pe noi bani, fabricuta noastra draga!

            Petre-Roman-in-vizita-la-IPRS-Baneasa

  6. IPRS avea tot ce trebuie in '89, pentru a fi lider in piata de semiconductori din Europa, dar tovarasu Iliescu si Nastase, au avut grija sa faca praf totul. Au distrus tot ce era numarul unu pe plan European,si nu numai, pentru a duce Romania in situatia actuala. Niste activisti de partid si securisti nenorociti, s-au inbogatit pe spinarea amaratului popor Roman, care brusc a devenit consumator, si atat. Doar la lins de moaste am ramas lideri mondiali.

  7. Componentele electronice de atunci erau produse sub licență. Nu aveai voie să marchezi cu 2N3055 sau BC 107 dacă nu produceai identic cu cele produse de marile firme din lume. La acea vreme componentele produse de IPRS Băneasa erau superioare componentelor sovietice și chinezești.

  8. Au picat toate la revoluție, pentru ca s-a furat piatra cu piatra in țara asta. China s-a ridicat (sa nu mai vorbim de Japonia), prin furt de tehnologie și uite unde au ajuns. Ne prindea rău câteva fabrici de componente electronice, acum in criza asta de semiconductori?

  9. Buni răi, furați de la alții, faceam export in America, în Japonia, tari cu tradiție. Acum ce facem? Luăm toate rebuturile de la alți!!

  10. Ce au dezvoltat, carcasa de ebonita cu sarme, si in partea sus? Ca microfilmele de fabricatie a structurii de siliciu erau de la SGS. Nu am inventat apa calda, doar am vopsit robinetul.

          1. Lasa ca ai acum nivel tehnologic precum iti doreste sufletul tau! Iar aici vorbim despre electronica si hobby nicidecum de economie si geopolitica.

  11. Tranzistoarele din seria BC au fost deosebit de competitive si vreau sa spun ca domnul care sustine ca totul a fost furat este un b**!!

    1. Mulțumesc ca mă asemeni cu tine, nu spune nimeni ca nu au fost competitive, eu și acum în montaje înlocuiesc cu BC-uri, furtul de componente era o practică în statele comuniste, am avut numeroase delegații la IPRS și am văzut cu ochii mei ce era acolo, în special RDG-ul era mare furnizoare de componente furate din vest așa că Domnule îți spun B***e ca să nu te jignesc, îți propun să îți bagi carnetul de membru PCR în c** (scuze de exprimare) și nu uita că acest site este pentru a-ți exprima opinii, nu pentru a jigni pe cineva, și în final Domnule, acele vremuri au trecut, poate de aceea a trebuit sa devin B**. Las la aprecierea dumneavoastră a celor ce citiți acest comentariu dacă merit asemenea calificare.

  12. Intr-adevar, nimeni nu merita asemenea calificative. Parerea mea este ca sunt probabil multe necunoscute asociate sau o parere de rau, ura pentru pentru ca s-a votat cu cine nu trebuie in acele timpuri. Probabil atunci nu s-a realizat, dar acum se trag consecintele.

  13. As usual for communist controlled states with restrictions from both sides over Iron Curtain – no proper specs and manufacturing technologies was known in communist side. So guys rely only on stolen western documentation and needed to improvise. In USSR it was the same 🙂

    1. Very well said. It is what actually happened also in Romania, being on that time politically controlled / guided by USSR. What you've said is reflected after the revolution from 89 (Romania), when the factory was gone.

      1. Total gresit. S-au cumparat multe licente. S-a inceput cu Philips, SGS, TFK.
        Nu e nimic de meditat la ce abereaza omul. Ce a produs IPRS nu are legatura cu sovieticii, suntem (ma rog, acum la trecut, am fost singurii din blocul comunist care am produs masiv in deplina concordanta cu standardele vestice).
        Nu mai spun de cate tranzistoare produse la IPRS plecau marcate in seriile produse de alte tari, Franta, Japonia drept tribut la schimb pentru acordarea licentelor.
        Nu ma agit ca vine unul din afara si spune ca noi si sovieticii am furat.
        Toti au furat, dar unde exista documentat ca s-au cumparat licente si s-a produs efectiv sub ele, zeci de ani nu este loc de bla bla.
        Cand vei fi citit "Monografia si Istoria IPRS", vei fi clarificat cu mai multe aspecte.
        Mie mi-a luat doua saptamani sa citesc bunul de tipar, in format pdf, ma rog.. inca mai suferea modificari, si lucrurile sunt foarte bine documentate de inginerii din IPRS, oameni care si astazi sunt pe pozitii deosebite.
        Din pacate, in afara Romaniei, era un morman de gunoi. So, don`t sell out for nothing.

        1. Da, s-au cumparat licente dar nu s-au respectat standarderele, asta spune practic omul.
          Lasand documentele la o parte, daca livrarile erau peste gabaritul fabricii, cel mai probabil s-au livrat si piese care trebuiau sa fie rebut (line reject).
          Cine si-a asumat aceasta responsabilitate, probabil inca nu se stie..
          Personal cred ca asta a fost momentul cand s-au pierdut contractele.

    2. For further research there was an article in Electronics Today International back in 1985. Silicon transistors were hard to produce until the invention of the planar process by Fairchild in 1962. A further refinement was the epitaxial layer process later on.

  14. Contractele s-au pierdut din cauza ridicarii preturilor de vanzare, tocmai pentru a se pierde parteneriatul cu firmele care aveau nevoie de aceste produse.
    Ia mai ieftin din China, alea de IPRS sunt mai scumpe. Rebuturile plecau la Kit-uri si la Tiganii de pe Academiei.
    Ce a fost pentru export a fost de foarte buna calitate. Spun asta si cei ce au lucrat in fabrica si dovanda sunt componentele din loturile de export pe care le detin.

    1. Aici sunt foarte multi factori de analizat.
      1. Cine cumpara scump si prost?
      2. Chinezii au o alta cultura si respect fata de sine. Productia lor poate nu e extraordinara, dar macar atentioneaza clientii cu loturile problematice.
      3. Prea putine rebuturi au plecat spre kit-uri sau la tiganii de pe Academiei, ca sa justifice cele spuse anterior.
      4. Cat era cerinta si cat trebuia sa se livreze?
      5. Cat de des se facea mententanta si care era capacitatea de productie a fabricii pe zi?
      6. Cat de bine functionau testere-le? Cum erau controlate?
      7. Care erau performatele departamentului de calitate?
      8. Ce urmarea departamentul de calitate?
      9. De ce specificatiile pentru export nu au fost mentionate in cataloage?
      10. Care a fost nivelul de intredere IPRS in Europa de Vest?
      and so on…

      1. Trebuie sa citesti cartile. Acolo sunt documentele. Sunt raspunsuri la parte din punctele expuse de tine.
        Partial raspund, desi nu sunt purtatorul de cuvant al IPRS, iar cine a a lucrat in IPRS nu mai este printre noi.
        2. Chinezii sunt una, in imaginea de aici si alta in realitate. A amesteca cultura lor traditionala cu spionajul econimic e o mare greseala, crede-ma am avut de-a face cu ei si nu e nimic in roz bombon. Ma refer la nivel de inginerie si punere in executie.
        3. Plecau destule. Se recicla destul de mult. Dar toate fabricile faceau acelasi lucru. Doar nu-ti inchipui ca TFK, SGS, Siemens, TI, si altii nu aveau rebuturi.

  15. IPRS BANEASA: Norme si departamentul de asigurare a calitatii produselor.

    Ca tot intreba retoric Domnul Dan Florian Alx daca IPRS a detinut departament in acest sens.

    SECȚIA DE ASIGURAREA CALITĂȚII PRODUSELOR IPRS Băneasa

    O condiţie de supravieţuire a unei întreprinderi care produce componente electronice cu tehnologii complexe este existenţa unui sistem de calitate eficient în toate etapele procesului de producţie. Asta înseamnă depăşirea vechiului concept despre calitate, care consta doar în conformitatea unui produs cu o normă sau un
    standard, prin încercări efectuate pe produsul final și introducerea conceptului de Ingineria calității. Valoarea mare a investiţiilor în tehnologii, costul ridicat al materiei prime şi al procesului de producţie fac necesară analiza şi evaluarea calităţii pe etape tehnologice şi scoaterea din fabricaţie – pe parcurs – a tuturor
    componentelor potenţial necorespunzătoare. Asta înseamnă plasarea punctelor de control pe toată linia tehnologică, defalcarea normelor de produs pe faze tehnologice, elaborarea unor metode specifice de încercări, culegerea şi prelucrarea informaţiilor în timp real, crearea unor baze de date şi stabilirea măsurilor ce se impun.

    Deceniul 1960-1970 a fost al electronicii de larg consum la care componentele produse conform licențelor achiziționate au corespuns perfect.

    Deceniul 1970–1980 a fost al electronicii profesionale, care a necesitat componente mai performante.

    Una din primele măsuri luate la IPRS Băneasa, pe această linie, a fost înfiinţarea în 1976 a Laboratorului de screening. Screeningul consta dintr-o secvenţă de încercări mecano-climatice şi de durată semnificative, care evidenţia prin teste de evaluare rapidă fiabilitatea unui anumit lot şi permitea eliminarea componentelor potenţial defectabile. Experienţa acumulată în IPRS Băneasa a permis, la acea dată, alcătuirea unei biblioteci de defecte caracteristice şi de mecanisme de defectare asociate, activitate foarte importantă pe întreg lanțul de la cercetare și proiectare până la fabricația curentă a fiecărui produs.
    Corespunzător destinaţiei aparatelor electronice s-au definit în mod arbitrar 3 nivele de calitate pentru aplicaţiile profesionale:
    – aplicaţii la care întreţinerea şi reparaţiile se pot executa rapid, iar timpul de întrerupere nu este un factor critic;
    – aplicaţii la care întreţinerea şi reparaţiile pot fi executate, dar sunt costisitoare;
    – aplicaţii la care întreţinerea şi reparaţiile sunt foarte dificile sau imposibile, iar fiabilitatea este imperativă.
    Aceste nivele de calitate, conforme cu standardele internaţionale de calitate pentru componente profesionale – CEI, MIL-SDT ş.a. au generat:
    Programul de asigurarea calităţii componentelor pe fiecare nivel de calitate şi
    Programul de verificare a calităţii, de asemenea specific fiecărui nivel;

    Trecerea de la fabricaţia de componente standard la componente profesionale a
    fost realizată pe etape:

    – întâi prin sortarea componentelor din producţia curentă pe destinaţii;
    – produse de uz curent şi speciale;
    – şi apoi trecerea la producţia de componente speciale.

    În toate etapele screeningul a fost de un real ajutor. Istoric vorbind, până la abordarea problemei componentelor profesionale, au
    fost parcurse câteva etape premergătoare. Iniţial au fost livrate componente sortarte special, care asigurau o calitate de conformitate superioară
    componentelor normale, prin sortări speciale şi programe de verificare a calităţii.

    Programul de elaborare a acestor componente, a fost denumit Programul Galben, acesta asigura componentelor o calitate la recepție, o stabilitate a parametrilor în funcționare și o fiabilitate superioare față de a componentelor normale.

    Începând din anul 1977 au fost livrate în cadrul Programului Galben componente fabricate
    pe cele mai evoluate şi stabile linii de producţie ale întreprinderii.

    Programul Galben a fost un program hibrid, mai evoluat decât cel pentru componentele normale, dar sub primul nivel profesional. În paralel, din 1976 a început cercetarea și ulterior asimilarea de COMPONENTE PROFESIONALE.

    Programul de asigurare a calităţii componentelor profesionale a prezentat câteva puncte comune, independent de tipul tehnologiei, astfel:

    1. Măsuri tehnologice destinate realizării unei calităţi superioare, care au implicat nu doar cercetarea și proiectarea de produs ci și asigurarea unor tehnologii superioare (puritatea atmosferei şi a fluidelor, etalonarea, şi reglarea utilajelor);

    2. Metode de selecţie 100% post încapsulare pentru eliminarea din lot a exemplarelor potenţial defectabile, ca urmare a unor încercări climatice, mecanice, funcționale, inspecţie cu raze X etc. fiind mai evoluată pentru nivele de calitate ridicată;

    3. Documentarea şi analiza datelor pentru diagnoza şi remedierea defectelor.

    Din anii 1979 – 1980 IPRS Băneasa a început asimilarea şi a livrat componente profesionale, nivelul I de asigurare a calităţii (P I), aparţinând principalelor familii de diode şi tranzistoare de mică şi medie putere (planare, diode şi tiristoare).

    Asimilarea nivelelor superioare P II şi P III a fost o decizie politică datorită necesității unor investiții suplimentare pe fluxul de producție și control.

    Însă implicarea IPRS în programe speciale de mare importanţă naţională – cum a fost Programul nuclear sau Programul pentru echipamente de zbor, Programul de aparatură
    militară, Programul Metrou ș.a. au făcut necesară şi oportună abordarea nivelelor P II şi P III de calitate. Au existat 9 programe speciale diferite.

    1. Nimic nu ieșea pe piata (sau la anume beneficiari in cazul produselor speciale) fără omologare, care presupunea trecerea prin toate categoriile de încercări (mecano-climatice etc), categorii ce erau standardizate după standardele occidentale (mai ales) sau cerințele beneficiarilor (pt anumite programe amintite mai sus). Investițiile au fost mari (marea majoritate a instalațiilor (camere climatice, AMC-uri etc) din import, mai ales vest !)

    2. Interesant, controlul calitatii parea sa fie unul destul de bun. Inseamna ca altele au fost motivele evaporarii subite ale fabricii..

      1. Motivele evaporarii subite sunt hoția la drumul mare practicata de guvernele ultimilor 32 ani cărora nu le pasa de tara și popor, vând orice să-și umple buzunarele proprii, restul la gunoi..

    3. Am avut o experienţă interesantă cu integratul 741 de la IPRS. Am proiectat o schemă cu două bucăţi, dispozitivul urma să echipeze vagoanele de călători. La "cald" totul funcţiona perfect însă la testele la temperaturi negative (0… -40°C) cele două integrate au clacat. Am cumpărat, prin cunoştinţe, din străinătate, (pentru care am fost turnat la securitate, fapta şi alte delaţiuni apar în dosarul meu de urmărire informativă "Electronistul") câteva bucăţi cu care am făcut teste şi totul a fost OK. Prin intervenţie la minister, pentru producţia în serie, s-au obţinut acele integrate în varianta militară.

      1. Cele normale erau pentru cel mult -25C ! Exista o instalație (americană) de sortat care măsoară cam toți parametrii posibili la integrate (programabilă, cu calculator etc). Pentru a grăbi procesul de sortare, la seriile mari de uzuale se măsurau doar câțiva parametri. Doar cele cu "puncte" (albe, galbene etc.) "beneficiau" de mai multi..

  16. Vad ca si acum sunt unii care arunca cu mizerii in ce s-a produs In Romania. Probabil ca sunt din grupul de denigratori profesionisti.
    Am lucrat mult timp cu semiconductoare fabricate la IPRS si am fost multumit de ele. Erau mai bune decat cele fabricate in URSS si chiar decat unele din RDG. De exemplu, integratul TDA440P de la IPRS era net mai bun decat echivalentul lui RDG-ist (A240D). Nemtii nu controlau bine difuziile si tranzistoarele pnp laterale din circuitele lor aveau beta prea mic. La A240D nu functiona circuitul de comanda RAA care comanda selectorul de canale.

    Primul BC – IPRS l-am cumparat in toamna anului 1971, cu 18 lei, de la cineva care era in legatura cu bisnitarii din Bucuresti. L-am ars rapid, pentru ca nu aveam experienta si nici dotare ( multimetru si pistol de lipit).

Adauga un comentariu

Adresa ta de email nu va fi publicată.

The maximum upload file size: 2 Mo. You can upload: image, audio, video, document, spreadsheet, interactive, text, archive, code, other. Links to YouTube, Facebook, Twitter and other services inserted in the comment text will be automatically embedded. Drop file here