BC107, BC108 si BC109 – Inceputurile productiei in lume

Timp de citit: 4 minute

Intreprinderea de piese radio si semiconductori (IPRS)

In 1960, guvernul lui Gheorghe Gheorghiu-Dej a decis sa construiasca o fabrica in Baneasa (Bucuresti), care in 1962 se numea Intreprinderea de piese radio si semiconductori (IPRS).

Fabrica a crescut pana la 6.000 de angajati la inceputul anilor 1980. Seria de tranzistoare BJT a urmat circuite integrate liniare si digitale (inclusiv seria 7400), diode si tranzistoare, dispozitive cu microunde, tiristoare, triaci si condensatori. IPRS a fabricat, de asemenea, un microprocesor βP14500, o clona a Motorola MC14500B.

Cum a aparut CCPCE?

In 1969 Centrul de Cercetare Proiectare pentru Componenta Electronica (CCPCE) a fost creat pe baza IPRS, dar independent de acesta. Centrul de cercetare a dezvoltat dispozitive semiconductoare pilot pentru seriile ulterioare de catre IPRS. Din 1974 sediul central s-a mutat aproape de IPRS si si-a schimbat denumirea in Institutul de Cercetare pentru Componenta Electronica (ICCE). Cu noi linii de productie inaugurate in 1979 a inceput fabricarea tranzistoarelor, diodelor, circuitelor IC, optoelectronicii, cu cateva mii de unitati produse pe luna.

O a treia entitate, Microelectronica, a fost creata in 1981, aproape de IPRS si ICCE pentru fabricarea logicii PMOS, logicii NMOS si a CMOS (inclusiv seria 4000).

Microelectronica a fabricat o clona a Intel 8080 cu denumirea MMN8080 si o clona a MMN80CPU marca Zilog Z80. MMN80CPU a intrat in productie in 1988. Retineti ca Z80 a fost lansat in 1976 si clona U880 din Germania de Est in 1980.

Cand au aparut tranzistoare BC107, BC108 si BC109?

BC107, BC108 si BC109 sunt tranzistoare bipolare NPN cu siliciu, de uz general, de mica putere, care se gasesc foarte des in carti/articole de echipamente electronice din Europa, Australia, inca din anii '60.

Acestea au fost create de Philips si Mullard in 1963 si introduse in aprilie 1966. Initial in pachete metalice (TO-18), gama s-a extins in timp pentru a include alte tipuri de pachete, tensiuni mai mari si o selectie mai buna de castig (hFE si hfe), precum si tipuri de PNP complementare.

Familia BC107, 108, 109 in capsula metalica TO-18, s-a produs pe plan mondial din 1965 de catre Philips, Siemens, AEG-Telefunken, SESCOSEM, Texas Instruments, Motorola, Fairchild, SGS Thomson si IPRS Baneasa.

Dupa 1975 se fabrica tranzistoare similare si echivalente in capsula de plastic, la un pret de cost mai mic cu 20-40%. Capsulele sunt diferite ca forma si doar din aceasta cauza apar mai multe tipuri care de fapt sunt echivalente.

BC107 si 109 (177 si 179 complementari PNP) sunt in capsula metalica si din acest motiv sunt putin mai scumpi dar aveau zgomot redus (BC109C) si se foloseau in preamplificatoare si in partea de intrare a amplificatoarelor audio in special.

Tabel echivalente pentru BC107, BC108 si BC109

Tip	Tranzistoare echivalente [BC]
BC 107	147, 167, 207, 237, 547, 171
BC 108	148, 168, 208, 238, 548, 172
BC 109	149, 169, 209, 239, 549, 173

Puterea disipata la 45°C este pentru toate tipurile de cel putin 200 mW. Nu se recomanda ca la functionarea de lunga durata puterea sa depaseasca 150mW, astfel incat jonctiunea sa aiba o temperatura sub 125°C, asigurindu-se fiabilitatea.

Caracteristicile tehnice ale BC107, BC107A, BC107B si BC107C

Technical specifications	BC107	BC107A	BC107B	BC107C
Material of Transistor	Si	Si	Si	Si
Polarity	NPN	NPN	NPN	NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|	50 V	50 V	50 V	50 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|	45 V	45 V	45 V	45 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|	6 V	6 V	6 V	6 V
Maximum Collector Current |Ic max|	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
Transition Frequency (ft)	150 MHz	150 MHz	150 MHz	150 MHz
Collector Capacitance (Cc)	5 pF	5 pF	5 pF	5 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	110	110	200	450
Package	TO18	TO18	TO18	TO18

Caracteristicile tehnice ale BC108, BC108A, BC108B si BC108C

Technical specifications	BC108	BC108A	BC108B	BC108C
Material of Transistor	Si	Si	Si	Si
Polarity	NPN	NPN	NPN	NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|	30 V	30 V	30 V	30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|	20 V	20 V	20 V	20 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|	5 V	5 V	5 V	5 V
Maximum Collector Current |Ic max|	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
Transition Frequency (ft)	150 MHz	150 MHz	150 MHz	150 MHz
Collector Capacitance (Cc)	5 pF	5 pF	5 pF	5 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	120	120	200	420
Package	TO18	TO18	TO18	TO18

Caracteristicile tehnice ale BC109, BC109A, BC109B si BC109C

Technical specifications	BC109	BC109A	BC109B	BC109C
Material of Transistor	Si	Si	Si	Si
Polarity	NPN	NPN	NPN	NPN
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|	30 V	30 V	30 V	30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|	20 V	20 V	20 V	20 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|	5 V	5 V	5 V	5 V
Maximum Collector Current |Ic max|	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
Transition Frequency (ft)	150 MHz	150 MHz	150 MHz	150 MHz
Collector Capacitance (Cc)	5 pF	5 pF	5 pF	5 pF
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	180	120	200	420
Package	TO18	TO18	TO18	TO18

Bibliografie:

Multumiri speciale pentru colegii Nicolae Dicu si Marius Balauta pentru pozele din acest articol.

https://mail.uaic.ro/
https://picclick.com/
https://koaha.org/
https://www.elforum.info/